Гонка за нанометрами: HBM4, TSMC N2 и дефицит DRAM
Гонка за нанометрами: кто перепишет цены на технику
Производители чипов одновременно переходят на новые техпроцессы, а память превращается в дефицит. Разбираем, что это значит для рынка — и для вашего кошелька.
-
Samsung запустила HBM4 в серию. Корейцы начали массовый выпуск памяти на базе 1c DRAM (10-нм класс): 2 ТБ/с на стек и до 48 ГБ плотности. Первые партии уйдут заказчикам в четвёртом квартале 2026 года с заводов в Пхёнтхэке и Хвасоне. Ставка — на вертикальную интеграцию DRAM и логики, но SK hynix уже отгружает HBM4, а выход годных кристаллов остаётся слабым местом.
-
TSMC перешла на 2 нм. Узел N2 стартовал в Хсинчу и Гаосюне: плюс 10–15% к производительности и минус 25–30% энергопотребления относительно N3E. Первыми в очереди — Apple и AMD. Нанолистовые транзисторы GAA должны сделать N2 самым долгоживущим узлом компании, хотя цена пластины отсечёт мелких заказчиков.
-
DRAM подорожала на четверть. Контрактные цены на серверную память выросли на 25–30% в четвёртом квартале 2026-го: Samsung, SK hynix и Micron перебрасывают пластины на маржинальную HBM, оставляя DDR5 на голодном пайке. Дефицит обещают минимум до середины 2027 года — ноутбуки, смартфоны и сборщики ПК получат рост цен и давление на маржу.
-
AMD раскрыла Zen 6. Серверные EPYC Venice получат до 256 ядер, DDR5-12800 и чиплеты по 12 ядер на CCD, выпуск — на 2-нм TSMC N2. Поставки партнёрам — в 2027 году. AMD обещает лидерство по производительности на ватт в облаке, но рискует из-за задержек N2 и напора Arm-решений у гиперскейлеров.
-
Intel Foundry подписала внешнего клиента. Неназванная американская компания заказала чипы по 18A с поставками с 2027 года — знак, что RibbonFET и PowerVia готовы к сторонним заказчикам. Это критично для окупаемости фабрик в Аризоне и Огайо, хотя отставание от TSMC по выходам годных и зависимость от субсидий сохраняются.
-
ASML ждёт рекорд. Спрос на EUV и High-NA расписан до 2028 года, очередь на EXE-системы дороже 350 млн евро формируют TSMC, Samsung и Intel. Литографический бум держится на ИИ-ускорителях, но экспортные ограничения и коррекция ИИ-рынка способны его остудить.
-
Micron готовит 3D-память. G9 с вертикальной компоновкой DRAM обещает в 1,5 раза больше плотности и на 20% меньше энергопотребления. Образцы — в 2027-м, а масштабирование производства выглядит самой сложной частью плана.
Что в итоге. Узкое место смещается с логики на память: литография и техпроцессы идут вперёд, но именно DRAM и HBM определяют, сколько будет стоить техника в 2027 году. Если планируете апгрейд ноутбука или сборку ПК — тянуть с покупкой вряд ли стоит. А как думаете: рост цен на память окажется временным или нас ждёт новая нормальность?
Источники
- Samsung запускает массовое производство памяти HBM4 на 1c DRAM
- TSMC начинает серийный выпуск чипов по техпроцессу N2
- Цены на DRAM подскочили на 30% из-за дефицита
- AMD раскрыла архитектуру Zen 6 для серверных EPYC
- Intel Foundry подписала нового крупного внешнего заказчика
- ASML прогнозирует рекордные поставки EUV в 2027 году
- Micron анонсировала 3D-память G9 для ИИ-серверов